qスイッチ固体レーザー

349/355 nm Qスイッチ固体レーザー選択ガイド
製品概要出力パルスエネルギーパルス幅
Quasar
業界最高レベルの高出力UVハイブリッドファイバーレーザー TimeShift機能により高精度の微細加工を実現
 
Power
>60 W
>45 W
Pulse Energy
>300 µJ @ 200 kHz
>225 µJ @ 200 kHz
Pulse Width
TimeShift pulse flexibility,
<2 ns to >100 ns
Plus pulse shaping and Burst Mode
  
new
Talon
圧倒的な低コストでハイパフォーマンスの QスイッチUV＆グリーンレーザー
new
 
Power
>45 W
>30 W
>20 W
>15 W
>12 W
>11 W
>10 W
>6 W
Pulse Energy
>300 µJ @ 150 kHz
>300 µJ @ 100 kHz
>200 µJ @ 100 kHz
>300 µJ @ 50 kHz
>240 µJ @ 50 kHz
>275 µJ @ 40 kHz
>500 µJ @ 20 kHz
>120 µJ @ 50 kHz
Pulse Width
<40 ns
<25 ns
<25 ns
<25 ns
<25 ns
~50 ns
~40 ns
<25 ns
  
new
Explorer One
世界最小サイズの空冷UVナノ秒レーザー
new
 
Power
>6 W
>2 W
>800 mW
>800 mW
>300 mW
>120 mW
>60 mW
Pulse Energy
>60 µJ @ 100 kHz
>25 µJ @ 80 kHz
>16 µJ @ 50 kHz
>80 µJ @ 10 kHz
>6 µJ @ 50 kHz
>120 µJ @ 1 kHz
>60 µJ @ 1 kHz
Pulse Width
<15 ns
<8 ns
<10 ns
<15 ns
<15 ns
<5 ns
<5 ns
  

532 nm Qスイッチ固体レーザー　セレクションガイド
製品概要出力パルスエネルギーパルス幅
Quasar
タイムシフト機能付き高精細, 高速微細加工用高出力Greenレーザー
 
Power
>95 W
>75 W
Pulse Energy
>475 µJ @ 200 kHz
>375 µJ @ 200 kHz
Pulse Width
TimeShift pulse flexibility,
<2 ns to >100 ns
Plus pulse shaping and Burst Mode
  
new
Talon
圧倒的な低コストでハイパフォーマンスの QスイッチUV＆グリーンレーザー
new
 
>40 W
>40 W
>20 W
~15 W
>400 µJ @ 100 kHz
>400 µJ @ 100 kHz
>400 µJ @ 50 kHz
~1000 µJ @ 15 kHz
<25 ns
<25 ns
<25 ns
25-40 ns
  
VGEN-G
グリーンファイバーレーザー(532 nm)
 
Power
>30 W
>20 W
>10 W
Pulse Energy
>180 µJ
>100 µJ, >180 µJ
>100 µJ, >180 µJ
Pulse Width
3 to >50 ns
  
new
Explorer One
世界最小サイズの空冷UVナノ秒レーザー
new
 
Power
>2 W
355 nm >800 mW
349 nm >120 mW
Pulse Energy
>40 µJ
>25 µJ
>60 µJ or >120 µJ
Pulse Width
<8 ns
<10 ns
<5 ns
  
Navigator
高品質トリミング・微細加工用産業レーザー
 
Power
> 9 W
>4 W
>3.5 W
>3 W
Pulse Energy
>450 µJ
>200 µJ
>300 µJ
>77 µJ
Pulse Width
<35 ns
<15 ns
70–90 ns
25–35 ns
  

1064 nm Qスイッチ固体レーザー　セレクションガイド
HIPPO
微細加工とスクライビング用コンパクトデザインレーザー
 
Power
>27 W
>17 W
Pulse Energy
>560 µJ
>560 µJ
Pulse Width
<30 ns
<15 ns
  
Navigator
高品質トリミング・微細加工用産業レーザー
 
Power
>12 W
>6.5 W
>7 W
>6 W
>5 W
Pulse Energy
>1200 µJ
>650 µJ
>350 µJ
>600 µJ
>142 µJ
Pulse Width
<80 ns
<70 ns
70–110 ns
30–40 ns
<8.5 ns
  
Explorer
LD励起 IR コンパクト固体レーザー
 
Power
>2.5 W
Pulse Energy
>25 µJ @ 100 kHz
Pulse Widths
<12 ns
  

266 nm Qスイッチ固体レーザー　セレクションガイド
製品概要出力パルスエネルギーパルス幅
HIPPO Prime
ディープUV微細加工用レーザー
 
Power
>2.0 W
Pulse Energy
>40 uJ @ 50 kHz
Pulse Width
>12 ns
  

ITOレーザーパターニング
TCOレーザーパターニング
LDP/LDI/PDP/AM OLED 加工
ガラス内マーキング・タイトリング
穴あけ, 切断, 加工
ブラック・マトリクス・パターニング
ヴィアホール穴あけ
フレキ回路レーザー切断, 穴あけ
PCBレーザー分離
PCB材料レーザー除去
電子部材レーザー分離
セラミックスクライビング
セラミック箔穴あけ
ウェイハースクライビング・ダイシング
Low-k レーザー誘電グルービング
ウェイハーマーキング
ダイアタッチフィルム(DAF)
シリコン貫通ビア
電子部材レーザー分離
サファイア, GaAs, GaNスクライビング
レーザー剥離
メモリーリペア
薄膜太陽電池P1, P2, P3レーザースライビング
LDSEレーザードーピング, 技術概要, c-Siレーザー加工
PSGレーザーエミッタードーピング
金属ラップレーザー穴あけ
エミッターラップレーザー穴あけ
c-Si太陽電池エッジ分離
レーザーグルービング埋め込端子
窒化ケイ素スクライビング
短絡修理
c-Si ウェイハーマーキング
c-Si太陽電池レーザー燃焼接触
３次元光造形
マーキング
金属, プラスチック
微細/深堀りみぞ加工
金属, プラスチック, セラミック, ガラス
MALDI 質量分析
レーザー解剖
分子取り出し
LIDAR / LADAR
測距
モバイルLIDAR
MALDI 質量分析
レーザー解剖
分子取り出し