日本語
中文
English
한국어
qスイッチ固体レーザー
349/355 nm Qスイッチ固体レーザー選択ガイド |
||||
|
Quasar
業界最高レベルの高出力UVハイブリッドファイバーレーザー TimeShift機能により高精度の微細加工を実現  |
Power
>60 W
>45 W |
Pulse Energy
>300 µJ @ 200 kHz
>225 µJ @ 200 kHz |
Pulse Width
TimeShift pulse flexibility,
<2 ns to >100 ns Plus pulse shaping and Burst Mode |
|
|
Talon
圧倒的な低コストでハイパフォーマンスの QスイッチUV＆グリーンレーザー  |
Power
>45 W
>30 W >20 W >15 W >12 W >11 W >10 W >6 W |
Pulse Energy
>300 µJ @ 150 kHz
>300 µJ @ 100 kHz >200 µJ @ 100 kHz >300 µJ @ 50 kHz >240 µJ @ 50 kHz >275 µJ @ 40 kHz >500 µJ @ 20 kHz >120 µJ @ 50 kHz |
Pulse Width
<40 ns
<25 ns <25 ns <25 ns <25 ns ~50 ns ~40 ns <25 ns |
|
|
Explorer One
世界最小サイズの空冷UVナノ秒レーザー   |
Power
>6 W
>2 W >800 mW >800 mW >300 mW >120 mW >60 mW |
Pulse Energy
>60 µJ @ 100 kHz
>25 µJ @ 80 kHz >16 µJ @ 50 kHz >80 µJ @ 10 kHz >6 µJ @ 50 kHz >120 µJ @ 1 kHz >60 µJ @ 1 kHz |
Pulse Width
<15 ns
<8 ns <10 ns <15 ns <15 ns
<5 ns <5 ns |
|
532 nm Qスイッチ固体レーザー セレクションガイド |
||||
|
Quasar
タイムシフト機能付き高精細, 高速微細加工用高出力Greenレーザー  |
Power
>95 W
>75 W |
Pulse Energy
>475 µJ @ 200 kHz
>375 µJ @ 200 kHz |
Pulse Width
TimeShift pulse flexibility,
<2 ns to >100 ns Plus pulse shaping and Burst Mode |
|
|
Talon
圧倒的な低コストでハイパフォーマンスの QスイッチUV＆グリーンレーザー |
>40 W
>40 W
>20 W ~15 W |
>400 µJ @ 100 kHz
>400 µJ @ 100 kHz
>400 µJ @ 50 kHz ~1000 µJ @ 15 kHz |
<25 ns
<25 ns
<25 ns 25-40 ns |
|
|
VGEN-G
グリーンファイバーレーザー(532 nm)  |
Power
>30 W
>20 W >10 W |
Pulse Energy
>180 µJ
>100 µJ, >180 µJ >100 µJ, >180 µJ |
Pulse Width
3 to >50 ns
|
|
|
Explorer One
世界最小サイズの空冷UVナノ秒レーザー |
Power
>2 W
355 nm >800 mW 349 nm >120 mW |
Pulse Energy
>40 µJ
>25 µJ >60 µJ or >120 µJ |
Pulse Width
<8 ns
<10 ns <5 ns |
|
1064 nm Qスイッチ固体レーザー セレクションガイド |
||||
|
Explorer
LD励起 IR コンパクト固体レーザー  |
Power
>2.5 W
|
Pulse Energy
>25 µJ @ 100 kHz
|
Pulse Widths
<12 ns
|
|
| ITOレーザーパターニング |
| TCOレーザーパターニング |
| LDP/LDI/PDP/AM OLED 加工 |
| ガラス内マーキング・タイトリング |
| 穴あけ, 切断, 加工 |
| ブラック・マトリクス・パターニング |
| ヴィアホール穴あけ |
| フレキ回路レーザー切断, 穴あけ |
| PCBレーザー分離 |
| PCB材料レーザー除去 |
| 電子部材レーザー分離 |
| セラミックスクライビング |
| セラミック箔穴あけ |
| ウェイハースクライビング・ダイシング |
| Low-k レーザー誘電グルービング |
| ウェイハーマーキング |
| ダイアタッチフィルム(DAF) |
| シリコン貫通ビア |
| 電子部材レーザー分離 |
| サファイア, GaAs, GaNスクライビング |
| レーザー剥離 |
| メモリーリペア |
| 薄膜太陽電池P1, P2, P3レーザースライビング |
| LDSEレーザードーピング, 技術概要, c-Siレーザー加工 |
| PSGレーザーエミッタードーピング |
| 金属ラップレーザー穴あけ |
| エミッターラップレーザー穴あけ |
| c-Si太陽電池エッジ分離 |
| レーザーグルービング埋め込端子 |
| 窒化ケイ素スクライビング |
| 短絡修理 |
| c-Si ウェイハーマーキング |
| c-Si太陽電池レーザー燃焼接触 |
| ３次元光造形 |
| マーキング 金属, プラスチック |
| 微細/深堀りみぞ加工 金属, プラスチック, セラミック, ガラス |
| MALDI 質量分析 |
| レーザー解剖 |
| 分子取り出し |
| LIDAR / LADAR |
| 測距 |
| モバイルLIDAR |
| MALDI 質量分析 |
| レーザー解剖 |
| 分子取り出し |