全固态调 q 激光器系列

349/355 nm 调 Q 激光器选择指南
产品说明功率脉冲能量脉冲宽度
Quasar
空前的紫外功率（>60 W 且 >300 µJ）混合光纤激光器、拥有 TimeShift 灵活控制脉冲特性、可应用于最快速的高精度精密加工
 
Power
>60 W
>45 W
Pulse Energy
>300 µJ @ 200 kHz
>225 µJ @ 200 kHz
Pulse Width
TimeShift 脉冲灵活性,,
<2 ns to >100 ns
加上脉冲整形和爆发方式
new
Talon
颠覆性超高性价比紫外激光器
new
 
Power
>45 W
>30 W
>20 W
>15 W
>12 W
>11 W
>10 W
>6 W
Pulse Energy
>300 µJ @ 150 kHz
>300 µJ @ 100 kHz
>200 µJ @ 100 kHz
>300 µJ @ 50 kHz
>240 µJ @ 50 kHz
>275 µJ @ 40 kHz
>500 µJ @ 20 kHz
>120 µJ @ 50 kHz
Pulse Width
<40 ns
<25 ns
<25 ns
<25 ns
<25 ns
~50 ns
~40 ns
<25 ns
  
new
Explorer One
紧凑型风冷式高功率紫外纳秒激光器
new
 
Power
>6 W
>2 W
>800 mW
>800 mW
>300 mW
>120 mW
>60 mW
Pulse Energy
>60 µJ @ 100 kHz
>25 µJ @ 80 kHz
>16 µJ @ 50 kHz
>80 µJ @ 10 kHz
>6 µJ @ 50 kHz
>120 µJ @ 1 kHz
>60 µJ @ 1 kHz
<15 ns
<8 ns
<10 ns
<15 ns
<15 ns
<5 ns
<5 ns
  

532 nm 调 Q 激光器选择指南
产品说明功率脉冲能量脉冲宽度
Quasar
最高功率的绿色混合光纤激光器具有 TimeShift 脉冲灵活性、适用于高速优质精密加工
 
Power
>95 W
>75 W
Pulse Energy
>475 µJ @ 200 kHz
>375 µJ @ 200 kHz
Pulse Width
TimeShift 脉冲灵活性,,
<2 ns to >100 ns
加上脉冲整形和爆发方式
  
new
Talon
颠覆性超高性价比紫外激光器
new
 
>40 W
>40 W
>20 W
~15 W
>400 µJ @ 100 kHz
>400 µJ @ 100 kHz
>400 µJ @ 50 kHz
~1000 µJ @ 15 kHz
<25 ns
<25 ns
<25 ns
25-40 ns
  
VGEN-G
绿光脉冲光纤激光器（532 nm）
 
Power
>30 W
>20 W
>10 W
Pulse Energy
>180 µJ
>100 µJ, >180 µJ
>100 µJ, >180 µJ
Pulse Width
3 to >50 ns
  
new
Explorer One
紧凑型风冷式高功率紫外纳秒激光器
new
 
Power
>2 W
355 nm >800 mW
349 nm >120 mW
Pulse Energy
>40 µJ
>25 µJ
>60 µJ or >120 µJ
Pulse Width
<8 ns
<10 ns
<5 ns
  
Navigator
具有行业领先的悠久历史/可靠性、适用于修整和精密加工应用
 
Power
> 9 W
>4 W
>3.5 W
>3 W
Pulse Energy
>450 µJ
>200 µJ
>300 µJ
>77 µJ
Pulse Width
<35 ns
<15 ns
70–90 ns
25–35 ns
  

1064 nm 调 Q 激光器选择指南
HIPPO
通用性设计适用于精密加工和紧凑型工业封装划刻   
 
Power
>27 W
>17 W
Pulse Energy
>560 µJ
>560 µJ
Pulse Width
<30 ns
<15 ns
  
Navigator
具有行业领先的悠久历史/可靠性、适用于修整和精密加工应用
 
Power
>12 W
>6.5 W
>7 W
>6 W
>5 W
Pulse Energy
>1200 µJ
>650 µJ
>350 µJ
>600 µJ
>142 µJ
Pulse Width
<80 ns
<70 ns
70–110 ns
30–40 ns
<8.5 ns
  
Explorer
DPSS红外激光器
 
POwer
>2.5 W
Pulse Energy
>25 µJ @ 100 kHz
Pulse Widths
<12 ns
  

266 nm 调 Q 激光器选择指南
产品说明功率脉冲能量脉冲宽度
HIPPO Prime
深紫外精密加工
 
Power
>2.0 W
Pulse Energy
>40 uJ @ 50 kHz
Pulse Width
>12 ns
  

ITO 激光蚀刻
TCO 激光蚀刻
LDP/LDI,LCD/PDP修复以及PDP/AMOLED加工
玻璃内雕，打标
钻孔，切割和激光加工
黑荧光屏矩阵制图
激光钻通孔
柔板，覆盖膜切割和钻孔
PCB分板
PCB激光蚀刻和成型
电子封装单体切割分离
陶瓷激光划线
陶瓷薄片激光钻孔
晶圆划刻，分粒
低介电常数材料划线和激光刻槽
晶圆打标
芯片贴装薄膜
硅片激光钻通孔
电子封装单体切割分离 (micro-SD, QFN, FBGA and DCA)
蓝宝石, GaAs 及GaN的激光划线和分割
激光剥离
内存修复
太阳能电池P1，P2，P2层激光划刻, a-si TF激光划刻，Mo-si TF激光划刻
选择发射极激光掺杂，c-Si 激光处理
用PSG（磷硅玻璃）作为掺杂材料的发射极的激光掺杂
MWT （金属电极绕通） 太阳能电池激光钻孔
EWT（发射极绕通）太阳能电池激光钻孔
c-Si 太阳能激光边缘绝缘处理，c-Si 太阳能电池背电极激光烧结
激光刻槽埋栅
氮化硅激光划刻
缺陷，分流修复
c-Si 晶圆打标
c-Si太阳能电池雷射背电极烧结
立体光刻 （曝光/烧蚀）
打标
金属, 塑料
深刻雕刻
金属, 聚合物, 陶瓷, 玻璃
MALDI质谱分析
激光显微解剖
分子释放
激光雷达和激光探测与测距
测距
移动激光雷达应用